前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 技术要求 6
4.1 材料 6
4.2 晶片 6
5 抽样 10
5.1 概述 10
5.2 抽样 10
5.3 抽样方案 10
5.4 全数检验 10
6 检验方法 10
6.1 直径 10
6.2 厚度 11
6.3 OF长度 11
6.4 OF方向 11
6.5 TV5 11
6.6 翘曲度 11
6.7 TTV 11
6.8 晶片正面缺陷 11
6.9 包裹体 11
6.10 背面粗糙度 11
6.11 晶片方向 11
6.12 居里温度 11
6.13 晶格常数 11
7 包装、标签和标识、交货条件 12
7.1 包装 12
7.2 标签和标识 12
7.3 交货条件 12
8 居里温度的测量 12
8.1 概述 12
8.2 DTA 测量方法 12
8.3 介电常数方法 13
9 晶格常数的测量(Bond方法) 13
10 用X-射线(定向仪)测量晶面角度(定向)的方法 14
10.1 测量原理 14
10.2 测量方法 15
10.3 晶片取向的测量 15
10.4 OF方向的测量 15
10.5 典型的晶片切型和参考平面 15
11 晶片正面检查方法 16
附录A (规范性附录) 压电单晶的欧拉角表示法 17
附录B(资料性附录) SAW 晶片制作工艺 20
附录C (资料性附录) 本标准与IEC62276:2005的技术性差异及其原因 26
